檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and cdept.raw="化學工程系"
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本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
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本研究乃針對藍光氮化鎵發光二極體元件的p型氮化鎵透明導電接觸層提出一取代材質及製程，考慮現在工業製程所使用的氧化銦錫薄膜中稀有元素銦的價昂，提案改使用同為透明導電氧化物的摻鎵氧化鋅來取代氧化銦錫。同…
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本實驗是先分別於三種氣氛下以TMGa/Cp2Mg/NH3之MOCVD系統成長p型氮化鎵薄膜。首先，在全氮氣氣氛下成長時，發現成長壓力為75 torr時，可以成長出表面較為平坦的薄膜，但因薄膜電性仍未…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，將氮源由傳統MOCVD製程中所使用的氨氣(NH3)改為第三丁基聯胺(i-butylhydrazine, TBHy)，來與三甲基鎵(trimethyl…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)為原料，分別使用鍍上金觸媒的Si(111)、Ge奈米線及ZnO奈米柱為基材來沈積氮化鎵。在鍍上1 nm厚度金觸媒於Si(11…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，透過「氣-液- 固」機制及使用金當催化劑，成功地在溫度700oC下分別在藍寶石(脉-Al2O3)、矽基板和氮化鎵上成長氮化鎵的奈米線。我們將氮源由…
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本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料，並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材，…
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摘要 鋰金屬因其極高的理論比容量（3860 mAh g-1）、最低的氧化還原電位（-3.04 V vs. 標準氫電極）和輕量化的密度（0.534 g cm-3）而被視為未來最具潛力的陰極材料之一。然…